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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
40
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
60
10
150 C
-55 C
10
5.0 V
o
o
25 C
o
1
2. T C = 25 C
3
0.6
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
0.2
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.8
0.6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
o
o
0.4
0.2
V GS = 10V
V GS = 20V
10
*Notes:
*Notes: T C = 25 C
0.0
0
10 20 30
o
40
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.2
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
50000
10000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 120V
V DS = 380V
V DS = 480V
C iss
1000
6
100
C oss
4
10
*Notes:
1. V GS = 0V
C rss
2
1
0.1
2. f = 1MHz
1 10 100
600
0
0
*Notes: I D = 6.5A
10 20 30
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP13N60N / FCPF13N60NT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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